Lo-D hma9500mk2 モジュール検査・製作用

ＨＭＡ－９５００ｍｋⅡ．　５４台目修理記録

モジュール検査・製作用　　　　　　　　　　　　平成２６年３月８日到着　　　　平成２９年１月３１日引取

注意　このＡＭＰはアースラインが浮いています。
　　　　ＡＭＰのシャーシにＳＰの線（アース側）やプリAMPのアースもも接続してはいけません。
　　　　ＲＬ－ＳＰのアース線も接続（共通）してもいけません、＋－の撚りのあるのも使用出来ません。
　　　　又、ＤＣ（directconnection）入力が可能ですが、絶対に使用しないこと＝ここ参照

Ａ．　修理前の状況

ヤフオクで落とした物ですが、ずいぶん前から使っていなかった２台目のＨＭＡ９５００ｍｋⅡを最近使おうと思い、スイッチを入れてみましたが、音が出なかったので、１分ほどで切りました。
ひっくり返してみると、たくさんの電解コンデンサーから液が漏れていました。（工房注、これは接着材です）
オーバーホール修理を希望。

B．　原因

各部経年劣化多し。
基板の部品がアラルダイドで固定してあり、修理不可能なので、モジュール修理・調整器として引取。
代替え器は　ＨＭＡ－９５００ｍｋⅡ．　５８台目。

Ｃ．　修理状況

Ｍ．　他機種の故障モジュール修理・調整・検査

Ｓ．　ＨＩＴＡＣＨＩＬｏ－Ｄ　ＨＭＡ－９５００ｍｋⅡ　の仕様（マニアルより）

Ａ．　修理前の状況。　画像をクリックすると、大きく（横幅2050ドット）表示されます。
Ａ１１．　点検中　前から見る

Ａ１２．　点検中　前右から見る

Ａ１３．　点検中　後から見る

Ａ１４．　点検中　後左から見る

Ａ１５．　点検中　上から見る

Ａ２１．　点検中　下から見る、鉛テープが張られている。

Ａ２２．　点検中　下前から見る

Ａ２３．　点検中　下前左から見る

Ａ２４．　点検中　下後から見る

Ａ２５．　点検中　下後右から見る

Ａ３１．　点検中　下蓋を取り、下から見る

Ａ３２．　点検中　Ｒ側ドライブ基板、　エポキシ系接着剤（アラルダイト）が多用されている。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　トルエンでも溶解不可なので、?離は大変で、基板や素子の破壊危険が伴う！

Ａ３３．　点検中　Ｌ側ドライブ基板、　エポキシ系接着剤（アラルダイト）が多用されている。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　トルエンでも溶解不可なので、?離は大変で、基板や素子の破壊危険が伴う！

Ａ３４．　点検中　電源基板、　エポキシ系接着剤（アラルダイト）が多用されている。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　トルエンでも溶解不可なので、?離は大変で、基板や素子の破壊危険が伴う！

Ａ３５．　点検中　ＲＣＡ端子基板が曲がって取り付けられている。

Ａ３６．　点検中　電源トランスの詰め物を見る、変色も、ヒビ割れも無。

Ａ３７．　点検中　電源ケーブルの取り付け部、手抜きの?ぎ配線。

Ｃ．　修理状況。　画像をクリックすると、大きく（横幅2050ドット）表示されます。
Ｃ１１．　修理前　Ｒ側ドライブ基板

Ｃ１１２．　修理前　Ｒ側ドライブ基板、　エポキシ系接着剤（アラルダイト）が多用されている。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　トルエンでも溶解不可なので、?離は大変で、基板や素子の破壊危険が伴う！

Ｃ１１３．　修理（清掃）前　Ｒ側放熱器裏の埃

Ｃ１１４．　修理（清掃）後　Ｒ側放熱器裏

Ｃ１２．　修理前　Ｒ側ドライブ基板裏

Ｃ２１．　修理前　Ｌ側ドライブ基板

Ｃ２１２．　修理前　Ｌ側ドライブ基板、　エポキシ系接着剤（アラルダイト）が多用されている。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　トルエンでも溶解不可なので、?離は大変で、基板や素子の破壊危険が伴う！

Ｃ２１２．　修理（清掃）前　Ｌ側放熱器裏の埃

Ｃ２１３．　修理（清掃）後　Ｌ側放熱器裏

Ｃ２２．　修理前　Ｌ側ドライブ基板裏

Ｃ３１．　修理前　Ｒ側終段ＦＥＴ（電界トランジスター）

Ｃ３２．　修理中　R側終段ＦＥＴ（電界トランジスター）、取り付けよう絶縁マイカー
　　　　　　　　　熱伝導の良い「シリコン製絶縁シート」は比誘電率が、シリコーンオイル＝2.60～2.75、雲母＝5～8と、
　　　　　　　　　２倍の開きがあり、高域特性に影響が出るので、現在は未採用。

Ｃ３５．　修理前　Ｌ側終段ＦＥＴ（電界トランジスター）

Ｃ３３．　修理中　Ｌ側終段ＦＥＴ（電界トランジスター）、取り付けよう絶縁マイカー
　　　　　　　　　熱伝導の良い「シリコン製絶縁シート」は比誘電率が、シリコーンオイル＝2.60～2.75、雲母＝5～8と、
　　　　　　　　　２倍の開きがあり、高域特性に影響が出るので、現在は未採用。

Ｃ４１．　修理前　ＲＬモジュール、　左右でバージョンが異なる。

Ｃ４２．　修理前　ＲＬモジュール裏、ここにもエポキシ系接着剤（アラルダイト）が付着している。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　トルエンでも溶解不可なので、?離は大変で、基板や素子の破壊危険が伴う！。

Ｃ４３．　修理後　ＲＬモジュール裏。　　ＴＲ（トランジスター）交換後軽くラッカーを吹きました。

Ｃ５１．　修理前　電源基板。

Ｃ５１２．　修理前　電源基板、　エポキシ系接着剤（アラルダイト）が多用されている。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　トルエンでも溶解不可なので、?離は大変で、基板や素子の破壊危険が伴う！

Ｃ５１３．　修理中　電源基板、　交換部品を外した所、エポキシ系接着剤（アラルダイト）が他の部品を破壊する。

Ｃ５１４．　修理中　電源基板、　取り外したλコン。

Ｃ５１５．　修理中　電源基板、　取り外したλコンをチュウブで保護。

Ｃ５２．　修理前　電源基板裏

Ｃ５３．　修理中　絶縁シート、　過大電流が流れた痕跡。

Ｃ６１．　修理前　ＲＣＡ端子

Ｃ６２．　修理前　Ｒ－ＳＰ端子

Ｃ６３．　修理前　Ｌ－ＳＰ端子

Ｃ６４．　修理前　電源ケーブル取り付け部

Ｃ６５．　修理前　電源ケーブル取り付け部、反対側。

Ｃ７１．　修理前　Ｒ側ドライブ基板へのラッピング線

Ｃ７２．　修理前　Ｌ側ドライブ基板へのラッピング線

Ｃ７３．　修理前　R側ドライブ基板－電源基板へのラッピング線

Ｃ７４．　修理前　Ｌ側ドライブ基板－電源基板

Ｃ８１．　終段ＦＥＴ（電界効果トランジスター）は下記の中より選別し、完全シンメトリーとした。

Ｃ９１．　完成（修理後）　Ｌ側ドライブ基板。

Ｍ．　故障機器のモジュール修理。　画像をクリックすると、大きく（横幅2050ドット）表示されます。
Ｍ１．　他の修理品のモジュール検査・修理・調整中。
　　　　　＋－終段ＦＥＴ（電界効果トランジスター）へのバイアス電圧＝＋３８ｍＶ／－３８ｍＶ、半固定ＶＲを同位置にて、左右同値。

Ｍ２．　他の修理品のモジュール検査・修理・調整中その２。
　　　　　　　　＋－終段ＦＥＴ（電界効果トランジスター）へのバイアス電圧＝＋３８３ｍＶ／－３８３ｍＶ、半固定ＶＲを同位置にて、左右同値。

Ｍ３．　他の修理品のモジュール検査・修理・調整中。
　　　　　　＋－終段ＦＥＴ（電界効果トランジスター）へのバイアス電圧＝＋６０ｍＶ／－５９ｍＶ、半固定ＶＲを同位置にて、左右同値。
　　　　　　　　　　　　下は終段ＦＥＴ（電界効果トランジスター）のドライブ電流値。

　　　　　　　　　　　　　9500m54-1h